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雪崩光电二极管
 

 

 系列8 – 高速/高增益 

型号

有效面积

暗电流(nA)

击穿电压(V)

电容

上升时间

温度系数

噪声等效功率

芯片

封装

尺寸(mm)

面积(mm2)

@M=100

@ID = 2μA

M=100(pF)

@M=100(ps)

UBR (V/K)

(W/Hz1/2)

AD100-8

TO52S1

Ø0.100

0.00785

0.05

120-190

0.8

<180

典型值:0.45

3×10-15

AD230-8

TO52S1

Ø0.230

0.042

0.3

1.2

180

1×10-14

AD230-8

LCC6.1

AD500-8

TO52S1

Ø0.500

0.196

0.5-1

2.2

350

2×10-14

AD500-8

TO52S2

AD500-8

LCC6.1

AD800-8

TO5i

Ø0.800

0.50

2.0

5.0

700

4×10-14

AD1100-8

TO5i

Ø1.130

1.00

4.0

8.0

1000

8×10-14

AD1900-8

TO5i

Ø1.950

3.00

15.0

20.0

1400

1.5×10-13

AD2500-8

TO5i

Ø2.520

5.00

20.0

28.0

1500

3×10-13

AD3000-8

TO5i

Ø3.000

7.07

30.0

45.0

2000

4.5×10-13

AD5000-8

TO8i

Ø5.000

19.63

60.0

120.0

3000

9×10-13

 

 

系列9 – 近红外增强响应 

型号

有效面积

暗电流(nA)

击穿电压(V)

电容

上升时间

温度系数

噪声等效功率

芯片

封装

尺寸(mm)

面积(mm2)

@M=100

@ID = 2μA

M=100(pF)

@M=100(ps)

UBR (V/K)

(W/Hz1/2)

AD230-9

TO52S1

Ø0.230

0.042

0.5

180-240

0.8

500

典型值:1.55

1×10-14

AD230-9

TO52S3

AD500-9

TO52S1

Ø0.500

0.196

0.8

1.2

550

2×10-14

AD500-9

TO52S2

AD500-9

TO52S3

AD800-9

TO5i

Ø0.800

0.50

2.0

2.0

1300

4×10-14

AD1100-9

TO5i

Ø1.130

1.00

4.0

3.0

1300

8×10-14

AD1900-9

TO5i

Ø1.950

3.00

15.0

8.0

1400

1.5×10-13

AD2500-9

TO5i

Ø2.520

5.00

20.0

12.0

1500

3×10-13

AD3000-9

TO5i

Ø3.000

7.07

30.0

18.0

2000

4.5×10-13

AD5000-9

TO8i

Ø5.000

19.63

60.0

45.0

3000

9×10-13

 

 

阵列

AA16-9

DIL18

0.648×0.208

0.135

5.0

100300

2.0

2000

典型值:1.55

2×10-14

AA16D-9

SOJ22GL

1.000×0.405

0.405

AA8-9

SOJ22GL

1.000×0.405

0.405

1.5

AA16-0.13-9

SOJ22GL

0.648×0.208

0.135

-

 

 

系列10 – 1064nm 增强

型号

有效面积

暗电流(nA)

击穿电压(V)

电容(pF)

上升时间(ns) Vop

温度系数

噪声电流

芯片

封装

尺寸(mm)

面积(mm2)

@Vop

@ID = 2μA

@Vop 100kHz

@1064nm50Ω

VBR Tk(V/K)

@Vop (A/Hz1/2)

AD500-10

TO5i

Ø 0.500

0.196

5

320-500

0.8

5

典型值:3.5

典型值:1×10-12

AD1500-10

TO5i

Ø 1.500

1.77

10

300-500

1.9

8

注:Vop – 工作电压

 

 

系列11 – 蓝光增强

型号

有效面积

暗电流(nA)

击穿电压(V)

电容(pF)

上升时间 (ns)

温度系数

噪声电流(A/Hz1/2)

芯片

封装

尺寸(mm)

面积(mm2)

@M=100

@ID = 2μA

@M=100,100kHz

@410nm50Ω

VBR Tk(V/K)

@M=100

AD800-11

TO52S1

Ø 0.800

0.5

1.0

100-200

2.5

1

典型值:0.88

1×10-14

AD1900-11

TO5i

Ø 1.950

3.0

5.0

10.0

2

2.5×10-14

 

 

系列12 – 红光增强/高速

型号

有效面积

暗电流(nA)

击穿电压

电容

截止频率

温度系数

噪声等效功率

芯片

封装

尺寸(mm)

面积(mm2)

(nA)

(V)

 (pF)

(GHz)

VBR Tk(V/K)

(W/Hz1/2)

AD230-12

TO52S1

Ø 0.230

0.042

0.1

60-120

1.5

3

典型值:0.2

1×10-14

AD230-12

LCC6.1

AD500-12

TO52S1

Ø 0.500

0.196

0.2

4.5

AD500-12

LCC6.1

 

 

 
 
 
 
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