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四象限光电二极管
 

 

型号

有效面积

典型的暗电流

击穿电压

最大电容

间隙

类型

上升时间(ns)

芯片

封装

尺寸(mm)

面积(mm2)

@10VnA

(V)

@10V (pF)

(μm)

 

@850nm, 10V, 50Ω

DP3.22-6

TO5

1.4×2.3

3.22

0.3

15

3.1

50, 氧化物

微分

30

QP1-6

TO5

Ø 1.13

1.00

0.1

1.0

16, 氧化物

四象限

20

QP2-6

TO5

Ø 1.60

2.00

0.1

2.0

20, 氧化物

QP5-6

TO5

Ø 2.52

5.00

0.2

3.0

24, 氧化物

QP5.8-6

TO5

2.4×2.4

5.80

0.4

2.7

50, 氧化物

QP10-6

TO8S

Ø 3.57

10.00

0.5

5.0

28, 氧化物

QP20-6

TO8S

Ø 5.05

20.00

1.0

10.0

34, 氧化物

30

QP50-6

TO8S

Ø7.80

50.00

2.0

25.0

42, 氧化物

40

QP100-6

LCC10

Ø11.20

100.00

5.0

50.0

50, 氧化物

50

 

型号

有效面积

暗电流

击穿电压

典型的电容

间隙

类型

上升时间(ns)

芯片

封装

尺寸(mm)

面积(mm2)

@150VnA

(V)

@150V (pF)

(μm)

 

@1064nm, 150V, 50Ω

QP45-Q

TO8i

6.69×6.69

4×11

20

200

15.0

70

四象限

5

QP100-Q

LCC10

10×10

4×25

250

25.0

50

6

QP154-Q

TO1032i

Ø 14.0

4×38.5

100

 
 
 
 
 
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