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硅光电倍增管(SiPM)
 

具有单光子灵敏度的创新型固态硅探测器,是光电倍增管的有效替代品之一,优势在于其高增益特性、响应速度快和低工作电压,还具有对磁场不敏感和集成度高等特点。芯片级封装(CSP)采用无边框硅光电倍增管冲模,提供经济高效的解决方案,以此最大限度地扩大活跃区面积。

典型应用领域包括高能物理、医学影像学、核医学、国土安全及分析仪器等。

特性:
● 出色的单光子探测灵敏度
● 光检测工作距离长(响应波长:350至900nm)
● 暗计数率 <100/<200 kHz/mm2
● 击穿电压一致性
● 良好的温度稳定性
● 高增益 (106)
● 定时性能好
● 对磁场不敏感
● 即使直接曝光在环境背景光下也不会损坏探测器
● 芯片级封装(CSP)符合RoHS要求


近紫外线(NUV)硅光电倍增管

芯片封装

有效面积(mm)

像素尺寸(µm)

像素

填充因子

暗计数率(kHz/mm²)

光子探测效率 (%)

增益

SMD

1x1

40x40

625

60

<50 @ 2 V OV

43

3.6x106

<100 @ 6 V OV

SMD

1.2

40x40

673

60

<50 @ 2 V OV

43

3.6x106

<100 @ 6 V OV

SMD

3x3

40x40

5520

60

<50 @ 2 V OV

43

3.6x106

<100 @ 6 V OV

SMD

4x4

40x40

9340

60

<50 @ 2 V OV

43

3.6x106

<100 @ 6 V OV


红绿蓝3通道(RGB)硅光电倍增管

芯片封装

有效面积(mm)

像素尺寸(µm)

像素

填充因子

暗计数率(kHz/mm²)

光子探测效率(%)

增益

SMD

1x1

40x40

625

60

<100 @ 2 V OV

32.5

2.7x106

<200 @ 4 V OV

SMD

1.2

40x40

673

60

<100 @ 2 V OV

32.5

2.7x106

<200 @ 4 V OV

SMD

3x3

40x40

5520

60

<100 @ 2 V OV

32.5

2.7x106

<200 @ 4 V OV

SMD

4x4

40x40

9340

60

<100 @ 2 V OV

32.5

2.7x106

<200 @ 4 V OV


 
 
 
 
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