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InGaAs铟镓砷探测器
 

特性:

● 灵敏度高达1700nm

● 低暗电流

● 活动区面积可达0.7至7mm²


型号

有效面积

光谱响应 (A/W)

暗电流 (nA)@5V

电容(pF)@5V

带宽 (nm)

芯片

封装

尺寸(mm)

面积 (mm²)

@650 nm / @1550 nm

PC0.7-i

LCC6.1

1

0.7

0.05 / 0.95

2

70

900…1700

PC0.7-ix

LCC6.1

1

0.7

0.3 / 0.95

2

70

600…1700

PC0.7-ix

TO52S1

1

0.7

0.3 / 0.95

2

70

600…1700

PC7.1-i

TO5i

3

0.7

0.05 / 0.95

25

700

900…1700



 
 
 
 
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